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BC857C RF /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
BC857C RF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V

集电极—基极电压 VCBO:- 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极—射极饱和电压:- 0.65 V

最大直流电集电极电流:- 0.1 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:475

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Taiwan Semiconductor

集电极连续电流:- 0.1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:220

Pd-功率耗散:200 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:1.438 g

供应商BC857C RF
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BC857C RFTaiwan Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
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10:¥1.4577
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